Eu já abordei anteriormente sobre EPROM, mais especificamente a UV-EPROM que possui janela de quartzo para apagamento de seu conteúdo por luz ultravioleta. Existe um componente mais moderno, a EEPROM ou E2PROM (Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory), que permite o apagamento e programação através de sinais elétricos em seus terminais.
Os da foto acima, eu tive a sorte de arrematar um lote por um preço razoável tempos atrás, e são da série 28C, mais especificamente 28C64. Este circuito integrado é uma memória não volátil que comporta 8192 (8K) palavras de 8 bits (byte), portanto é parecido com EPROM tipo 2764 ou 27C64. Entretanto também é bastante semelhante à RAM estática 6264, pois permite ser gravado (operação de escrita), e as pinagens são praticamente iguais.
A principal diferença entre a SRAM e a EEPROM é que este último tem um tempo de escrita relativamente grande (até 10 ms), pois cada bit tem de ser apagado e depois regravado. Além disso tem um número limitado de ciclos de gravações como as EPROMs, estimado em torno de 10.000 a 100.000 vezes. Sendo assim, não pode substituir as RAMs, cuja vida útil não é diminuída nas operações de escrita.
Por outro lado pode substituir as UV-EPROMs com vantagens, pois permite ser regravado no próprio circuito. Esta característica é bem aproveitada no firmware da divIDE. Um circuito de 8KB corresponde à firmware da Multiface ou da DivIDE, metade da ROM do TK90X ou da interface de drive Beta ou ainda um quarto do conjunto ROM 0 e ROM 1 do Spectrum 128/TKMEM-128. Há ainda as versões de maiores capacidades 28C256 (32KB) e 28C512 (64KB) no mercado brasileiro.
Notei algumas discrepâncias nas datasheets de diferentes fabricantes. Por exemplo, a maioria garante tempo de retenção de dados de 10 anos, mas um dos fabricantes afirma ser de 200 anos! Outro ponto discrepante é sobre o número de bytes que podem ser escritos no dispositivo, antes de começar de fato o processo de gravação. Uma datasheet afirma ser no máximo de 32 bytes, outro de 64 bytes e outro nem menciona tal possibilidade. Na dúvida, eu acho melhor gravar 1 byte de cada vez, apesar de demorar mais.
A principal diferença entre a SRAM e a EEPROM é que este último tem um tempo de escrita relativamente grande (até 10 ms), pois cada bit tem de ser apagado e depois regravado. Além disso tem um número limitado de ciclos de gravações como as EPROMs, estimado em torno de 10.000 a 100.000 vezes. Sendo assim, não pode substituir as RAMs, cuja vida útil não é diminuída nas operações de escrita.
Por outro lado pode substituir as UV-EPROMs com vantagens, pois permite ser regravado no próprio circuito. Esta característica é bem aproveitada no firmware da divIDE. Um circuito de 8KB corresponde à firmware da Multiface ou da DivIDE, metade da ROM do TK90X ou da interface de drive Beta ou ainda um quarto do conjunto ROM 0 e ROM 1 do Spectrum 128/TKMEM-128. Há ainda as versões de maiores capacidades 28C256 (32KB) e 28C512 (64KB) no mercado brasileiro.
Notei algumas discrepâncias nas datasheets de diferentes fabricantes. Por exemplo, a maioria garante tempo de retenção de dados de 10 anos, mas um dos fabricantes afirma ser de 200 anos! Outro ponto discrepante é sobre o número de bytes que podem ser escritos no dispositivo, antes de começar de fato o processo de gravação. Uma datasheet afirma ser no máximo de 32 bytes, outro de 64 bytes e outro nem menciona tal possibilidade. Na dúvida, eu acho melhor gravar 1 byte de cada vez, apesar de demorar mais.
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